Холдинг «Росэлектроника» Госкорпорации Ростех начал разработки перспективных типов транзисторов, относящихся к самым передовым мировым научно-техническим решениям.

В частности, АО «Государственный завод «Пульсар» (Москва) приступил к проектированию транзистора на основе нитрида галлия (GaN) — широкозонном полупроводнике, открывающем большие возможности в производстве блоков питания различных типов, развитии мобильной и космической связи. Специалисты предприятия планируют получить опытные образцы нового изделия уже в 2017 году.

В то же время АО «НПП «Салют» (Нижний Новгород) приступило к изысканиям в сфере создания, так называемых, спиновых полевых транзисторов (spin, — вращение, вращать — собственный момент импульса элементарной частицы, имеет квантовую природу, не связан с перемещением частицы). Этот тип полупроводниковых приборов отличает высокая скорость переключений между состояниями транзистора и низкое энергопотребление.

4 читать дальше